삼성전자가 42nm 3D 스택드 FET 구조를 세계 최초로 구현하여 로직 반도체 집적도 향상에 획기적인 돌파구를 마련했어요. 이는 기존 수평적 집적도의 한계를 극복하고 트랜지스터 수를 2배로 늘릴 수 있는 기술이에요.
연구팀은 전류 통로 연결 방식인 RBC 관통 연결 기술을 통해 기존보다 깊은 구멍을 완벽하게 채우는 고난도 공정을 성공적으로 해결했어요. 이 기술은 AI 및 HPC 시장의 판도를 바꿀 것으로 기대돼요.
삼성전자는 현재 테스트 회로 개발에 착수하여 실제 제품화를 위한 기술적 기반을 다지고 있으며, 3D 적층 구조는 기존 공정 대비 100% 성능 향상과 2배의 전력 효율 개선을 기대할 수 있어요.