삼성전자가 차세대 HBM5에 2나노 GAA 공정을 적용해 성능과 전력 효율을 높일 계획이에요. HBM5 베이스 다이에 파운드리 선단 공정을 적용하여 AI 메모리 경쟁력을 강화할 예정입니다. 구자흠 부사장에 따르면 HBM5는 전작 대비 동작 속도를 50% 이상 향상시킬 것으로 기대됩니다.