SK하이닉스가 용인 신규 메모리 생산기지 구축을 위해 최첨단 D램 제조장비 발주를 시작했어요. Y1 팹은 내년 2월 시생산 라인 구축을 목표로 하고 있습니다. 6세대 10나노급(1c) D램을 생산하며, AI용 고부가 DDR·LPDDR 제조에 활용될 예정입니다.
SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 구축 속도를 높이기 위해 4번째 팹 건설 완료 목표 시점을 2033년으로 앞당겼습니다. 총 600조 원이 투입될 예정이며, 4개 팹으로 구성됩니다.
장비 업계는 SK하이닉스가 판매단가 계약 일정을 앞당긴 만큼 대응을 서두르고 있으며, Y1 ph2 및 ph3에 대한 클린룸 구축도 올 하반기에 시작될 것으로 예상됩니다.