삼성전자가 차세대 HBM5의 베이스 다이에 2나노 파운드리 공정을 적용해 AI 반도체 시장 공략에 나섰습니다. HBM5는 직전 세대 대비 동작 속도를 50% 이상 향상하는 것을 목표로 합니다. 삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 통합 솔루션을 강점으로 내세우고 있습니다.
베이스 다이는 HBM 적층 구조 하단에 위치하며, GAA 구조를 적용한 2나노 공정을 통해 고집적과 초고성능을 구현할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4E를 통해 14Gbps 이상의 고속 동작을 달성하고 전력 소모와 방열 성능도 개선했습니다.
테슬라의 차량용 2나노 반도체 수주를 계기로 AI·HPC 시장에서 공정 경쟁력을 인정받고 있으며, 4나노 공정도 HBM4 베이스 다이와 미국 AI 업체의 AI·HPC용 반도체에 적용되고 있습니다.