삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 베이스다이에 2나노 GAA 공정을 적용할 계획을 밝혔어요.
HBM4와 HBM4E에는 4나노 공정을 적용하여 성능과 전력 효율을 높였고, AI와 HPC 고객 수주를 확대하고 있다고 설명했어요.
구자흠 부사장은 HBM5에서 동작 속도를 약 50% 이상 높이기 위해 2나노 공정과 TSV 기술을 적용할 예정이며, AI 반도체 시장 성장에 맞춰 파운드리 선단 공정 수요도 확대될 것으로 예상했어요.
삼성전자는 메모리, 파운드리, 패키징 기술을 모두 보유한 턴키 솔루션 제공을 통해 HBM 경쟁력을 강화하고 있다고 강조했어요.
지난해 전장용 테슬라 2나노 제품 수주를 계기로 AI·HPC, CSP 등 대형 고객사 수주가 이어지고 있으며, 4나노 공정도 AI·HPC용 LPU 신제품에 적용되어 성능을 인정받고 있어요.
삼성전리는 모바일 외 AI·HPC, 오토모티브, 로보틱스 등 다양한 분야로 고객 협력을 확대해 나갈 계획이에요.